| 发明名称 | 一种降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法，所述方法包括以下步骤：对剥离下来的三族氮化物自支撑片进行腐蚀；对腐蚀后的三族氮化物自支撑片进行生长，生长面为氮面。本发明对剥离下来的三族氮化物自支撑片进行再生长，通过氮面再生长降低其翘曲度，并增加了自支撑片的厚度，为后续的抛光工艺打下良好的基础。 | ||
| 申请公布号 | CN101673670B | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN200910180528.0 | 申请日期 | 2009.10.19 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 发明人 | 于祥潞;徐永宽;殷海丰;程红娟;李强;杨丹丹;赖占平;严如岳 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 信息产业部电子专利中心 11010 | 代理人 | 梁军 |
| 主权项 | 一种降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：对剥离下来的三族氮化物自支撑片进行腐蚀；对腐蚀后的三族氮化物自支撑片进行生长，生长面为氮面；其中，所述三族氮化物自支撑片的生长温度为650℃～1150℃，生长厚度大于等于20μm。 | ||
| 地址 | 300220 天津市河西区洞庭路26号 | ||