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一种微型场发射电子器件，其包括：一基底；一阴极电极设置于基底表面，该阴极电极具有一电子发射体；与一阳极电极相对该阴极电极设置，其改进之处在于，该微型场发射电子器件内密封有惰性气体，且满足条件式：@sIMGCHAR!d10023.TIF@eIMG!，其中，h为电子发射体之场发射尖端与阳极电极之间之间距；@sIMGCHAR!d10024.TIF@eIMG!为电子在惰性气体环境中之自由程；该惰性气体的分压为0.1~10个大气压。如申请专利范围第1项所述的微型场发射电子器件，其中，进一步包括一栅极电极设置于该阴极电极与该阳极电极之间。如申请专利范围第2项所述的微型场发射电子器件，其中，该栅极电极在对应于电子发射体位置设置有一开孔。如申请专利范围第1项所述的微型场发射电子器件，其中，该电子发射体为微尖结构。如申请专利范围第4项所述的微型场发射电子器件，其中，该电子发射体材料为矽、钼或钨。如申请专利范围第5项所述的微型场发射电子器件，其中，该电子发射体表面形成有低逸出功材料薄膜。如申请专利范围第6项所述的微型场发射电子器件，其中，该低逸出功材料薄膜材料为金属硼化物或稀土氧化物。如申请专利范围第4项所述的微型场发射电子器件，其中，该电子发射体材料为稀土氧化物、碳化物与高熔点金属。如申请专利范围第4项所述的微型场发射电子器件，其中，该电子发射体表面设置有奈米碳管或半导体奈米线。如申请专利范围第1项所述的微型场发射电子器件，其中，该电子发射体为奈米碳管、半导体奈米线或其组成的阵列。如申请专利范围第1项所述的微型场发射电子器件，其中，该惰性气体的分压为1个大气压。如申请专利范围第1项所述的微型场发射电子器件，其中，该惰性气体可选择为氦、氖、氩、氪、氙及其任意组合之混合气体。如申请专利范围第1项所述的微型场发射电子器件，其中，进一步满足关系式：@sIMGCHAR!d10025.TIF@eIMG!。 |
