| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，系具有：藉由研磨前述半导体基板之一面而使前述半导体基板变薄的步骤；于半导体基板之经研磨表面上选择性的形成遮罩层的步骤；以前述遮罩层作为遮罩，用蚀刻装置将前述半导体基板乾蚀刻，且于前述半导体基板形成开口部的步骤；将前述遮罩层予以去除之步骤；以及使前述半导体基板之一面平坦化的第1平坦化步骤；其中，将前述遮罩层去除的步骤与前述第1平坦化步骤，系在前述半导体基板配置在前述蚀刻装置的状态下连续地进行。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中，具有使前述开口部之内壁平坦化的第2平坦化步骤；而将前述遮罩层去除的步骤与前述第1平坦化步骤与前述第2平坦化步骤，系在前述半导体基板配置在前述蚀刻装置的状态下连续地进行。如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法，其中，将前述开口部之内壁平坦化的第2平坦化步骤系包含：于前述半导体基板之背面侧形成弯曲，且从前述半导体基板之背面侧越接近表面侧则其开口部窄之方式形成之步骤。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中，前述形成开口部的步骤系包括：用以于前述半导体基板形成沟的电浆蚀刻步骤；用以于前述沟之内壁沉积保护膜的电浆沉积步骤；以及将前述电浆蚀刻步骤与前述电浆沉积步骤交替重复的步骤。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中，前述蚀刻装置系为ICP型的蚀刻装置。如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中，具有：于前述半导体基板之开口部内壁上形成绝缘膜的步骤；以及于前述绝缘膜上形成贯通电极的步骤。一种半导体装置之制造方法，系具有：准备表面侧具有金属层之半导体基板；于半导体基板之表面上选择性的形成遮罩层的步骤；以前述遮罩层作为遮罩，用蚀刻装置将前述半导体基板乾蚀刻，而于前述半导体基板形成开口部的步骤；将前述遮罩层予以去除之步骤；用以使前述开口部之内壁平坦化的第2平坦化步骤；在前述开口部之内壁上形成绝缘膜的步骤；以及形成与经由前述绝缘膜从前述开口部露出之前述金属层电性连接之贯通电极之步骤；将前述遮罩层去除的步骤与前述第2平坦化步骤，系在将前述半导体基板配置在前述蚀刻装置的状态下连续地进行。一种半导体装置，系包括：半导体基板，具有从背面贯通至表面的通孔；焊垫电极，位于前述半导体基板之表面上，且形成为将前述通孔被覆；以及贯通电极，形成于前述通孔之中，且与前述焊垫电极电性连接；前述通孔系为于前述半导体基板之背面侧形成弯曲，且从前述半导体基板之背面侧越接近表面侧则其开口径越窄的顺锥形；且施行有用以将前述通孔之内壁面平坦化的蚀刻处理。 |
