发明名称 电子元件之抗硫化构造
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.05.21
申请号 TW099220408 申请日期 2010.10.22
申请人 大毅科技股份有限公司 发明人 江财宝;曹茂松
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 郑再钦 台北市中山区民生东路3段21号10楼
主权项 一种电子元件之抗硫化构造,系包括有一基板,基板的底面两端分别设有一背面电极,基板的上方表面两端分别被覆一导电层及侧电极保护层,两导电层之间设有一叠于导电层上端之电子功能元件;复设有二抗硫层,分别盖覆至二导电层之局部上方;并且,设有一可将电子功能元件,以及将电子功能元件和抗硫层相接触界面完全覆盖之保护层。如申请专利范围第1项之电子元件之抗硫化构造,其中所述基板可选用陶瓷基板、氮化铝基板、矽基板或玻璃基板。如申请专利范围第1项之电子元件之抗硫化构造,其中所述抗硫层的材料可为钯或钯合金(Pd/Pd alloy)、金或金合金(Au/Au alloy)、铬或铬合金(Cr/Cr alloy)、镍或镍合金(Ni/Ni alloy)、钛或钛合金(Ti/Ti alloy)。如申请专利范围第1、2或3项之电子元件之抗硫化构造,其中所述电子功能元件可为电阻、电感、电容、保险丝、保护元件或感测元件。如申请专利范围第4项之电子元件之抗硫化构造,其中所述电子功能元件的上方,设有一电子功能元件保护层。如申请专利范围第5项之电子元件之抗硫化构造,其中所述导电层,可被覆在基板表面的左右两端或(及)上下两端。
地址 桃园县芦竹乡南山路2段470巷26号