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一侦测电路，用以侦测交越一指定电压之输入讯号，包含：一第一PMOS电晶体、一第二PMOS电晶体、一第一NMOS电晶体以及一第二NMOS电晶体，其中该第一PMOS电晶体以及该第二PMOS电晶体皆具有一闸极，该二闸极皆与该第二PMOS电晶体以及该第二NMOS电晶体之汲极相连接，且该第一NMOS电晶体以及该第二NMOS电晶体亦皆具有一闸极，该二闸极皆连接于一BIAS电压，该第二NMOS电晶体之源极接地，而该第二PMOS电晶体之源极系连接于一电源电位，该第一PMOS电晶体以及该第一NMOS电晶体之汲极系连接于一输出端；以及当该指定电压为接地电位时，该第一NMOS电晶体之源极系连接于该输入讯号，且该第一PMOS电晶体之源极系连接于该电源电位；当该指定电压为电源电位时，该第一NMOS电晶体之源极接地，且第一PMOS电晶体之源极系连接于该输入讯号。如申请专利范围第1项所述之侦测电路，其中该指定电压相对于该接地电位可作微调，根据该第二NMOS电晶体与第一NMOS电晶体大小的比例而决定。如申请专利范围第1项所述之侦测电路，其中该指定电压相对于该电源电位可作微调，根据该第二PMOS电晶体与第一PMOS电晶体大小的比例而决定。一侦测交越接地电位电路，用以侦测输入讯号交越接地电位，包含：一第一PMOS电晶体，具有一源极，该源极连接一电源电位；一第二PMOS电晶体，具有一源极以及一闸极，该源极连接该电源电位，该闸极连接其汲极以及该第一PMOS电晶体之闸极；一第一NMOS电晶体，具有一汲极以及一源极，该汲极连接该第一PMOS电晶体之汲极，该源极提供一输入讯号；以及一第二NMOS电晶体，具有一接地源极、一汲极，以及一闸极，该汲极系与该第二PMOS电晶体之汲极相连接，该闸极系与第一NMOS电晶体之闸极以及一BIAS电压相连接。如申请专利范围第4项所述之侦测交越接地电位电路，其中该接地电位可微调，根据该第二NMOS电晶体与第一NMOS电晶体大小的比例而决定。一侦测电源电位交越电路，用以侦测输入讯号交越电源电位交，包含：一第一PMOS电晶体，具有一源极，该源极连接一电源电位；一第二PMOS电晶体，具有一源极以及一闸极，该源极连接该电源电位，该闸极连接其汲极以及该第一PMOS电晶体之闸极；一第一NMOS电晶体，具有一汲极以及一源极，该汲极连接该第一PMOS电晶体之汲极，该源极接地；以及一第二NMOS电晶体，具有一接地源极、一汲极，以及一闸极，该源极提供一输入讯号，该汲极系与该第二PMOS电晶体之汲极相连接，该闸极系与第一NMOS电晶体之闸极以及一BIAS电压相连接。如申请专利范围第6项所述之侦测电源电位交越电路，其中该电源电位可微调，根据该第二PMOS电晶体与第一PMOS电晶体大小的比例而决定。 |
