| 主权项 |
一种控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，系包括有：于一具蚀刻深度终止层的矽基材上以微影与非等向湿蚀刻制作出一图案化特征层，该图案化特征层断面呈梯形状；于该图案化特征层上形成一电铸起始层；将上一步骤的最终结构置入电铸槽内，以成形一具特定厚度的模体；及令该模体予以独立而为一导光板模仁，该模仁上的特征断面即呈梯形状；上述图案化特征层的形成步骤系包括：于该蚀刻深度终止层表面形成一特征层；于特征层表面形成屏幕层；于屏幕层表面覆盖光阻，并运用曝光显影技术，来形成图案化光阻；以该图案化光阻为蚀刻罩幕，对下方屏幕层进行蚀刻，将图案化光阻的图案转移至该屏幕层，令其形成一图案化屏幕层；去除图案化光阻；对特征层进行非等向湿蚀刻，令对应蚀刻处的蚀刻深度终止层予以外露，且蚀刻处的侧边呈一斜面，而构成一断面呈梯形状的图案化特征层；去除屏幕层。如申请专利范围第1项所述之控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，上述独立出模体的步骤系以蚀刻方式去除模体之外的矽基材、蚀刻深度终止层及图案化特征层，以令模体能够予以独立而为一导光板模仁。如申请专利范围第1或2项所述之控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，其蚀刻深度终止层系为高浓度掺杂层、二氧化矽、氮化矽、富矽氮化矽、聚亚醯胺或金属。如申请专利范围第1或2项所述之控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，其系以溅镀或蒸镀方式来形成电铸起始层。如申请专利范围第1或2项所述之控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，其电铸起始层系为金属薄膜。如申请专利范围第1或2项所述之控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，其模体系为Ni(镍)、Ni-Co(镍钴合金)或其他合金沉积所形成。如申请专利范围第1或2项所述之控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，其进行非等向湿蚀刻所运用之蚀刻液系为四甲基氢氧化铵(Tetra-methyl-ammonium hydroxide；TMAH)、氢氧化钾(Potassium hydroxide；KOH)或乙二胺邻苯二酚(Ethylenedamine pyrocatochol；EDP)。一种控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，系包括有：于一矽基材的表面形成一与矽基材呈相反掺杂载子的矽材料层，此即为一特征层；于特征层表面形成屏幕层；于屏幕层表面覆盖光阻，并运用曝光显影技术，来形成图案化光阻；以该图案化光阻为蚀刻罩幕，对下方屏幕层进行蚀刻，将图案化光阻的图案转移至该屏幕层，令其形成一图案化屏幕层；去除图案化光阻；将该矽基材与特征层连接至一逆向偏压源，以令其间接面产生一压降；对特征层进行非等向湿蚀刻，当蚀刻液到达此一接面时，会破坏该接面结构而产生氧化层，而令蚀刻液停止，最后令对应蚀刻处氧化层予以外露，且蚀刻处的侧边呈一斜面，以构成一断面呈梯形状的图案化特征层；去除屏幕层；于该图案化特征层上形成一电铸起始层；将上一步骤的最终结构置入电铸槽内，以成形一具特定厚度的模体；及令该模体予以独立而为一导光板模仁，该模仁上的特征断面即呈梯形状。如申请专利范围第8项所述之控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，上述独立出模体的步骤系以蚀刻方式去除模体之外的矽基材及图案化特征层，以令模体能够予以独立而为一导光板模仁。如申请专利范围第8或9项所述之控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，该矽基板系为N单晶矽材料，而该特征层则为P单晶矽材料。如申请专利范围第8或9项所述之控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，该矽基板系为P单晶矽材料，而该特征层则为N单晶矽材料。如申请专利范围第8或9项所述之控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，其屏幕层系以二氧化矽或氮化矽来制作。如申请专利范围第8或9项所述之控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，其系以溅镀或蒸镀方式来形成电铸起始层。如申请专利范围第8或9项所述之控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，其电铸起始层系为金属薄膜。如申请专利范围第8或9项所述之控制非等向性蚀刻之蚀刻深度的导光板模仁制作方法，其模体系为Ni(镍)、Ni-Co(镍钴合金)或其他合金沉积所形成。 |
