| 主权项 |
一种氮化物半导体发光元件，其包括一基材及一堆叠在该基材上而包含一发光层之氮化物半导体层，其中相对于在该基材与该发光层间之氮化物半导体层的至少一侧面之法线、与相对于该氮化物半导体层表面的法线，系形成一大于90度的角度θ，其中该氮化物半导体层的侧面系氮化物半导体发光元件之外表面，且其中该氮化物半导体层与基材的侧面未形成连续面。如申请专利范围第1项之氮化物半导体发光元件，其中该氮化物半导体层之侧面排除该发光层。如申请专利范围第1或2项之氮化物半导体发光元件，其中该氮化物半导体层在其自身与该发光层间具有一垂直侧面。如申请专利范围第1项之氮化物半导体发光元件，其中该角度θ为95度或更大及170度或较小。如申请专利范围第1项之氮化物半导体发光元件，其中该角度θ为100度或更大及160度或较小。如申请专利范围第2项之氮化物半导体发光元件，其中该氮化物半导体层之厚度范围在1至20微米。如申请专利范围第1项之氮化物半导体发光元件，其中该基材系由蓝宝石所形成。如申请专利范围第1项之氮化物半导体发光元件，其中该基材系由碳化矽所形成。如申请专利范围第1项之氮化物半导体发光元件，其中该氮化物半导体层为具有一含(0001)面的表面作为主面。一种氮化物半导体发光元件之制法，该发光元件包含一基材及一堆叠在该基材上而包含一发光层的氮化物半导体层，该方法的步骤包括使用一已提供规定图案的遮罩来覆盖该氮化物半导体层的第一表面，使用雷射移除在欲分割成组成元件的区域中之氮化物半导体层直至到达该基材，让该氮化物半导体层接受使用正磷酸之湿式蚀刻处理以形成一氮化物半导体层之倾斜侧面，及将该氮化物半导体层分割成该组成元件。如申请专利范围第10项之制法，其中该基材系由蓝宝石所形成。如申请专利范围第10项之制法，其中该基材系由碳化矽所形成。如申请专利范围第10至12项中任一项之制法，其中该遮罩为一光阻。如申请专利范围第10项之制法，其中该移除氮化物半导体层步骤系使用乾式蚀刻来进行。如申请专利范围第10项之制法，其中该移除氮化物半导体层步骤系使用切片机来进行。 |
