HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR, ESD-PROTECTION CIRCUIT, AND USE OF A HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR IN AN ESD-PROTECTION CIRCUIT

摘要

Bei dem Hochvolttransistor, der für eine ESD-Schutzschaltung geeignet ist, befindet sich unter einem Kontaktbereich (4) für Drain zwischen einer ersten Wanne (2) und undotiertem oder für einen ersten Leitfähigkeitstyp dotiertem Halbleitermaterial des Substrates (1) keine dotierte Wanne oder allenfalls ein Anteil einer zweiten Wanne (3) eines dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei dieser Anteil eine geringere Dicke aufweist, als für eine gute elektrische Isolation der ersten Wanne zum Substrat und eine hohe Durchbruchspannung vorgesehen würde.