PROTECTIVE ELEMENT FOR ELECTRONIC CIRCUITS

摘要

Es wird ein Schutzelement mit einer integrierten Halbleiteranordnung und ein Herstellungsverfahren für ein solches Schutzelement beschrieben, mit wenigstens einer Schottkydiode (S) und wenigstens einer Z- oder Zenerdiode (Z), die zwischen eines Stromversorgung und einer Elektronik liegen, beschrieben, wobei die Anode der Schottkydiode (S) mit der Stromversorgung und die Kathode der Schottkydiode (S) mit der Elektronik und der Kathode der Zenerdiode verbunden ist und deren Anode mit Masse in Verbindung steht. Die Schottkydiode (S) ist eine Trench-MOS-Barrier-Junction Diode oder Trench-MOS-Barrier-Schottky Diode (TMBS)-Diode oder eine Trench-Junction-Barrier-Schottky-Diode (TJBS)-Diode und umfasst eine integrierte Halbleiteranordnung, die wenigstens eine Trench-MOS-Barrier-Schottky-Diode und ein p-dotiertes Substrat aufweist, das als Anode der Z- oder Zenerdiode (Z) dient.