Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Dünnchips und entsprechend gefertigter Dünnchip

摘要

Es werden Maßnahmen zum Erzeugen von Durchkontakten in Dünnchips vorgeschlagen, deren Funktionalität ausgehend von der Oberflächenschicht eines Halbleitersubstrats (1) in einem Schichtaufbau (2) realisiert wird. Zur Vereinzelung dieser Chips wird die Oberflächenschicht mit dem Schichtaufbau (2) strukturiert und es wird mindestens ein Hohlraum (3) unter der Oberflächenschicht erzeugt, so dass die einzelnen Chips (10) durch in den Hohlraum (3) mündende Gräben (9) definiert werden und die einzelnen Chips (10) über Stützelemente (4) im Bereich des Hohlraums (3) mit dem Substrat (1) unterhalb des Hohlraums (3) verbunden sind. Die Chips (10) werden mit Durchkontakten (50) versehen, indem zunächst für jeden Durchkontakt (50) ein Kontaktloch (5) erzeugt wird, das sich durch den gesamten Schichtaufbau (2) des Chips (10) erstreckt und in ein Stützelement (4) mündet. Dann wird mindestens eine dielektrische Schicht (7) auf den so strukturierten Schichtaufbau (2) und insbesondere auf die Wandung der Kontaktlöcher (5) aufgebracht und entsprechend der herzustellenden elektrischen Verbindungen zwischen Bereichen der Chipoberfläche und mindestens einem Durchkontakt (50) strukturiert. Darauf wird eine Metallisierung (8) aufgebracht und strukturiert, die sich insbesondere auf die Wandung der Kontaktlöcher (5) und die an die Kontaktlöcher (5) angrenzenden Oberflächenbereiche des Schichtaufbaus (2) erstreckt. Schließlich werden die so metallisierten Kontaktlöcher (5) noch mit einem Lot ...