采用P型多晶硅电极来抑制栅电极注入的方法

摘要

本发明公开了一种采用P型多晶硅电极来抑制栅电极注入的方法，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上制备ONO层，该ONO层由下至上依次为：隧穿氧化层、氮化硅陷阱层和高温热氧化层；第二步，在ONO层上淀积一层多晶硅层，形成多晶硅电极；第三步，P型多晶硅电极掺杂；第四步，制作P型多晶硅栅电极。本发明在SONOS闪存器件中采用了P型多晶硅电极结构，由于电极为P型，载流子为空穴，这样在擦除操作的时候，栅电极上的负电压不会迫使空穴隧穿到陷阱层，因此有效避免了栅电极注入的问题。

主权项

一种采用P型多晶硅电极来抑制栅电极注入的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上制备ONO层，该ONO层由下至上依次为：隧穿氧化层、氮化硅陷阱层和高温热氧化层；第二步，在ONO层上淀积一层多晶硅层，形成多晶硅电极；第三步，P型多晶硅电极掺杂；第四步，制作P型多晶硅栅电极。