发明名称 二极管及形成二极管的方法
摘要 一些实施例包括形成二极管的方法,其中形成第一电极而使其具有从基座向上延伸的底座。沿着跨越所述底座及基座延伸的波状形貌沉积至少一个层,且在所述至少一个层上方形成第二电极。所述第一电极、至少一个层及第二电极一起形成结构,在一种极性的电压施加到所述结构时,所述结构导通所述第一电极与第二电极之间的电流,且在具有与所述一种极性相反的极性的电压施加到所述结构时,所述结构抑制所述第一电极与第二电极之间的电流流动。一些实施例包括二极管,所述二极管具有含有从基座向上延伸的两个或两个以上突出物的第一电极;具有在所述第一电极上方的至少一个层;且具有在所述至少一个层上方的第二电极。
申请公布号 CN102067321A 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN200980122693.9 申请日期 2009.05.21
申请人 美光科技公司 发明人 古尔特杰·S·桑胡;钱德拉·穆利
分类号 H01L29/861(2006.01)I 主分类号 H01L29/861(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种形成二极管的方法,其包含:形成第一电极,所述第一电极包含从导电基座向上延伸的一个或一个以上导电底座;所述一个或一个以上底座具有顶部表面,且具有从所述基座延伸到所述顶部表面的侧壁表面;跨越所述一个或一个以上底座的所述顶部表面及所述侧壁表面沉积一个或一个以上层;在所述一个或一个以上层上方形成第二电极;且其中所述第一电极、一个或一个以上层及第二电极一起形成结构,在一种极性的电压施加到所述结构时,所述结构导通所述第一电极与第二电极之间的电流,且在具有与所述一种极性相反的极性的电压施加到所述结构时,所述结构抑制所述第一电极与第二电极之间的电流流动。
地址 美国爱达荷州