发明名称 双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法
摘要 本发明具体公开了一种双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法,包括以下步骤:先通过熔融拉锥工艺减小双包层光纤的外径,使其与光子晶体光纤的外径相同;再通过加热塌缩光子晶体光纤纤芯周围的空气孔,使其模场直径与双包层光纤的模场直径相匹配,同时使光子晶体光纤的外径基本保持不变;最后利用常规的熔接工艺对经过前述处理后的双包层光纤和光子晶体光纤进行熔接。本发明的熔接方法具有低成本、高效率、高质量且简单方便的优点。
申请公布号 CN102062901A 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN201010567268.5 申请日期 2010.11.30
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 陈子伦;侯静;奚小明;孙桂林;陈胜平;王泽锋;司磊;许晓军
分类号 G02B6/255(2006.01)I;G02B6/245(2006.01)I 主分类号 G02B6/255(2006.01)I
代理机构 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人 赵洪;杨斌
主权项 一种双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法,包括以下步骤:(1)双包层光纤的处理:通过熔融拉锥工艺减小所述双包层光纤的外径,使其与所述光子晶体光纤的外径相同;(2)光子晶体光纤的处理:通过加热塌缩所述光子晶体光纤纤芯周围的空气孔,使光子晶体光纤的模场直径与熔融拉锥后的双包层光纤的模场直径相匹配,同时使光子晶体光纤的外径基本保持不变;(3)熔接:利用常规的熔接工艺对经过步骤(1)和步骤(2)处理后的双包层光纤和光子晶体光纤进行熔接。
地址 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学光电学院定向能技术研究所203室