发明名称 半导体器件和其制造方法以及检查方法
摘要 加速度传感器,具有将半导体基板从表面只蚀刻梁部(3)的厚度而形成的、由锤部(1A)、框部(2)以及梁部(3)构成的表面图案,以留下梁部(3)的方式从背面蚀刻而形成的背面图案,和在锤部(1A)和框部(2)之间贯通半导体基板的贯通孔。进而,在锤部(1A)的表面的4个部位上,设有以与贯通孔的边缘为基准,以一定宽度形成为台阶状的位置偏移检查用的狭缝(1a)。在表面和背面的蚀刻加工完成时,通过从表面观察狭缝(1a),可以简单并且可靠地检查表背的图案的位置偏移的程度。
申请公布号 CN1944236B 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN200610111084.1 申请日期 2006.08.18
申请人 冲电气工业株式会社 发明人 田崎义英
分类号 B81C1/00(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 王以平
主权项 一种半导体器件,其特征在于,在具有表面以及背面的半导体基板上具有:通过在所述表面上形成规定的第一深度的第1槽部而画成该表面的表面图案;通过在所述背面上形成规定的第二深度的第2槽部而画成该背面的背面图案;通过连结所述表面图案的所述第1槽部和所述背面图案的所述第2槽部的各自的至少一部分而形成的贯通孔;以及在通过形成所述贯通孔而与所述背面图案相一致的所述表面图案的一部分上形成为一定宽度的台阶状的用于检查所述背面图案的位置偏移的检查槽部。
地址 日本东京