| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极；于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极；于栅绝缘层上形成氧化物半导体层；于氧化物半导体层的部分区域上形成半透光层；以此半透光层为掩模，进行光学退火工艺以使氧化物半导体层转化为一氧化物沟道层以及两个欧姆接触层，其中氧化物沟道层位于半透光层下方，而欧姆接触层位于氧化物沟道层两侧并与氧化物沟道层连接；以及于栅绝缘层与欧姆接触层上形成彼此电性绝缘的源极与漏极。本发明的薄膜晶体管具有稳定的电气特性，且本发明的工艺较为简单，有利于薄膜晶体管的量产。 | ||
| 申请公布号 | CN102064109A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN201010541631.6 | 申请日期 | 2010.11.08 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 林武雄;孙铭伟 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于一基板上形成一栅极；于该基板上形成一栅绝缘层以覆盖该栅极；于该栅绝缘层上形成一氧化物半导体层；于该氧化物半导体层的部分区域上形成一半透光层；以该半透光层为掩模，进行一光学退火工艺以使该氧化物半导体层转化为一氧化物沟道层以及两个欧姆接触层，其中该氧化物沟道层位于该半透光层下方，而所述两个欧姆接触层位于该氧化物沟道层两侧并与该氧化物沟道层连接；以及于该栅绝缘层与所述两个欧姆接触层上形成彼此电性绝缘的一源极与一漏极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||