半导体硅片磷扩散后涂胶前表面处理工艺

摘要

一种半导体硅片磷扩散后涂胶前表面处理工艺，按下述工艺方法处理：a、硅片在磷扩散后在115～125℃温度下的浓硫酸，对硅片表面进行浸泡脱水处理；用去离子水冲水10分钟；在甩干机中旋转甩干5分钟；将硅片悬置在异丙醇蒸气中，用异丙醇蒸气将硅片表面的水汽去除；最后用氮气气枪将附着在硅片表面的异丙醇吹除。本发明的工艺处理方法能使硅片表面充分干燥，硅片表面进行涂胶后与光刻胶粘附性明显改善，消除了腐蚀过程中出现的掉胶、侵蚀现象，光刻腐蚀质量得到了明显提高。

主权项

一种半导体硅片磷扩散后涂胶前表面处理工艺，其特征在于按下述工艺方法处理：a、硅片在磷扩散后采用浓度为98％的浓硫酸，在115～125℃温度下对硅片表面进行浸泡脱水处理9.5～10.5分钟；b、用电阻率15MΩ.CM的去离子水冲水10分钟；c、在转速为600rpm的甩干机中旋转甩干5分钟；d、将硅片悬置在异丙醇蒸气中，用异丙醇蒸气将硅片表面的水汽去除，悬置时间9‑11分钟；e、用氮气气枪将附着在硅片表面的异丙醇吹除，吹除时间3‑4分钟，氮气压力2kg/cm2，氮气流量24‑26L/min。