| 发明名称 | Si衬底GaN基薄膜的生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Si衬底GaN基薄膜的生长方法，在AlN缓冲层等中间结构生长完成后，调节金属有机化学气相沉积系统反应腔压强至50—150mbar，将衬底加热至900－1200℃，生长一高温低压GaN插入层，再在该插入层上生长GaN基薄膜。该高温低压GaN插入层加速了GaN三维生长向二维生长的转变，能促进表面快速愈合,有效地提高GaN基薄膜的晶体质量。 | ||
| 申请公布号 | CN102061519A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN201010558720.1 | 申请日期 | 2010.11.25 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 张佰君;罗睿宏;向鹏;刘扬 |
| 分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 禹小明 |
| 主权项 | 一种Si衬底GaN基薄膜的生长方法，其特征在于：依次进行下列步骤：步骤1：在Si衬底（1）上面形成中间结构层（11）；步骤2：调节金属有机化学气相沉积系统反应腔内压强至50—150mbar，将衬底加热至900－1200℃，生长一高温低压GaN插入层（2）；步骤3：在该高温低压GaN插入层（2）上生长GaN基薄膜（3）。 | ||
| 地址 | 510275 广东省广州市新港西路135号 | ||