| 发明名称 | 应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构，由下至上依次包括硅基片、n区、i区和p区，该轻掺杂二极管的p区与n区为非全包含结构，p区与n区在水平面上的投影无重叠部分，p区与n区在水平面方向上投影的间距X＞0。通过调整n区与p区在水平面方向上投影的间距X可以实现对轻掺杂二极管的特性的独立调节而且与现有的锗硅异质结三极管的制造工艺兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN102064202A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN200910201790.9 | 申请日期 | 2009.11.12 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈雄斌;周正良 |
| 分类号 | H01L29/868(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/868(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构，由下至上依次包括硅基片、n区、i区和p区，其特征在于，该轻掺杂二极管的p区与n区为非全包含结构，p区与n区在水平面上的投影无重叠部分，p区与n区在水平面方向上投影的间距X＞0。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||