发明名称 | 一种制造介质/氮化物复合结构增强型场效应管的方法 | ||
摘要 | 本发明是一种制造介质/氮化物复合结构增强型场效应管的方法,其工艺为,在衬底上依次生长AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和AlInN帽层;由AlInN/AlGaN/AlN复合前势垒和GaN/AlGaN背势垒构成强量子限制的高电子气密度外沟道阱。晶格匹配的厚AlInN帽层显著提高了外沟道电子气密度,AlInN帽层提供的高而宽的势垒强化了沟道阱的量子限制。既降低了外沟道的串联电阻,又减小了欧姆接触电阻。用干法挖槽工艺腐蚀完AlInN层和减薄AlGaN势垒层后用原子层淀积(ALD)工艺淀积设定厚度Si3N4介质层,强化内沟道阱的量子限制,确保大栅压变动下,电子波函数不渗透到势垒层引起异质结的能带畸变,提高了器件的开态电流。再用氟等离子体工艺在Si3N4介质层表面引入负空间电荷,提高势垒高度,耗尽内沟道阱中的电子气,使零栅压下内沟道夹断。实现理想的增强模工作。 | ||
申请公布号 | CN102064108A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
申请号 | CN201010541356.8 | 申请日期 | 2010.11.12 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 赵正平;薛舫时;石志宏 |
分类号 | H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人 | 沈根水 |
主权项 | 一种制造介质/氮化物复合结构增强型场效应管的方法,其特征是该方法包括如下工艺步骤:一、在衬底上依次生长AlGaN缓冲层,GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和AlInN帽层;二、在AlGaN缓冲层上生长GaN沟道层,构成背势垒来改善沟道夹断特性,使场效应管阈值电压正移;三、在薄AlGaN势垒层上生长和GaN晶格匹配的AlInN层,利用AlInN/AlGaN异质界面上的极化电荷来增加下面GaN沟道层中的电子气密度。利用该异质界面上的能带带阶来建立高势垒,防止沟道层中的电子波函数渗透到势垒层,强化电子二维特性,提高电子迁移率;构筑成外沟道阱,提高沟道阱中的电子气密度和迁移率,降低外沟道串联电阻和欧姆接触电阻;四、用干法工艺腐蚀完AlInN帽层6和减薄AlGaN势垒层后用原子层淀积(ALD)工艺直接在减薄的AlGaN势垒层上淀积Si3N4介质层用Si3N4/AlGaN异质结来形成高势垒,构筑内沟道的沟道阱;五、用氟等离子体工艺在Si3N4层中引入高密度负电荷,用强负电荷来耗尽内沟道阱中的二维电子气,使内沟道在零栅压下夹断,在正栅压下打开,实现增强模工作,优化设计氟等离子体工艺处理的Si3N4/AlGaN组合势垒,防止大正栅压下的沟道能带畸变,增大沟道电流。 | ||
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