发明名称 包括封装基底和通孔内的导电体的电子器件及其形成工艺
摘要 本公开涉及包括封装基底和通孔内的导电体的电子器件及其形成工艺。一种电子器件能够包括封装基底,所述封装基底包括有机材料和延伸进该封装基底中的孔。导电构件能够包括在孔内的通孔,以及沿封装基底的主表面放置的引线并且被电连接到通孔的引线。在实施方式中,导电材料能够被电镀、印刷、或者以其他方式在有机材料内或上形成,并且引线框和围绕该引线框的模塑料的相应形成是不必要的。
申请公布号 CN102064114A 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN201010501415.9 申请日期 2010.09.30
申请人 半导体元件工业有限责任公司 发明人 S·S·H·泰;W·Y·桑;A·普拉扎卡莫
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 申发振
主权项 一种形成电子器件的工艺,包括:提供封装基底,所述封装基底包括第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面,其中所述封装基底包括相应于被封装的半导体器件的区域的第一单元,并且在所述第一单元内,所述封装基底的第一主表面实际上没有导电体;由所述第一主表面形成第一孔,并且延伸进所述封装基底中;以及形成导电材料,所述导电材料包括第一部分和第二部分,其中所述第一部分包括在所述第一孔内的第一通孔,并且所述第二部分包括第一引线,所述第一引线沿所述封装基底的第一主表面放置并且位于所述第一通孔之上并被电连接到所述第一通孔。
地址 美国亚利桑那