| 发明名称 | 玻璃基体的镀层方法、磁盘基板及制法、垂直磁记录介质 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种对玻璃基体进行镀层的方法，其可利用无电解镀层法，在由玻璃材料制成的基体上，密合性良好地、均匀地形成甚至膜厚为1μm以上的镀膜。在由玻璃材料制成的基体上，依次至少实施玻璃活化处理(S2)、硅烷偶联剂处理(S3)、Pd催化处理(S4)、Pd结合处理(S5)后，利用无电解镀层(S6)形成膜厚为0.02μm～0.5μm的预镀膜并在200℃以上350℃以下的温度下实施退火处理(S7)，在该预镀膜上实施无电解镀层(S8)。 | ||
| 申请公布号 | CN1843997B | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN200610072585.3 | 申请日期 | 2006.04.07 |
| 申请人 | 富士电机电子技术株式会社 | 发明人 | 栗原大;郑用一;矶亚纪良 |
| 分类号 | C03C17/00(2006.01)I;C03C17/06(2006.01)I;G11B5/858(2006.01)I;G11B5/62(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种对玻璃基体进行镀层的方法，其特征在于：在由玻璃材料制成的基体上，依次至少实施玻璃活化处理、硅烷偶联剂处理、Pd催化处理、Pd结合处理后，利用无电解镀层法形成膜厚为0.02μm～0.5μm的预镀膜并在200℃以上350℃以下的温度下实施退火处理，在该预镀膜上通过实施无电解镀层形成膜厚为0.2μm～3μm的软磁性镀膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||