一种高速频率测量芯片的生产方法

摘要

本发明公开了一种高速频率测量芯片的生产方法，它包括以下步骤：①根据功能模块将整体逻辑划分为若干子逻辑模块，再根据时序流程图，对每个分逻辑进行仿真，消除局部的冗余逻辑结构；②利用电子设计自动化软件对输入通道及前置2级分频模块和主计数器部分进行逐级逐器件仿真；③将输出的显示逻辑完全开放，使之最高位具备1～9的显示；④调整MOS管的开启电压，使电路实用的工作电压范围为2～5V；⑤采用实时扫描位段驱动方式，使芯片直接驱动8位0.6英寸的7段LED数码管，⑥采用无磨损的投影光刻和N阱硅栅制造技术，制造得到高速频率测量芯片，本发明提高了芯片的频率响应指标，使芯片的直接测量频率范围扩大至从直流到40MHz以上，同时实现了低功耗目标。

主权项

一种高速频率测量芯片的生产方法，其特征在于它包括以下步骤：①根据功能模块将整体逻辑划分为若干子逻辑模块，再根据时序流程图，对每个分逻辑进行仿真，消除局部的冗余逻辑结构；②利用电子设计自动化软件对输入通道及前置2级分频模块和主计数器部分进行逐级逐器件仿真；③将输出的显示逻辑完全开放，使之最高位具备1～9的显示；④调整MOS管的开启电压，使电路实用的工作电压范围为3～5V；⑤采用实时扫描位段驱动方式，使芯片直接驱动8位0.6英寸的7段LED数码管，⑥采用无磨损的投影光刻和N阱硅栅制造技术，制造得到高速频率测量芯片。