一种制备InGaN基多量子阱层的方法

摘要

一种利用铟镓氮(InGaN)半导体材料制备量子阱的方法，该方法包括：通过向反应室内注入In前驱体气体和Ga前驱体气体，在叠层Ⅲ-Ⅴ族氮化物结构上于第一预设温度下制备势阱。该方法进一步包括制备所述势阱之后，停止供应Ga前驱体气体，保持供应In前驱体气体流，将反应室内温度升高至第二预设温度，同时将In前驱体气体流速从第一流速调整为第二流速。此外，该方法包括在第二预设温度时对所述势阱进行退火和稳定处理，同时保持第二流速。方法还包括在所述势阱上以第二预设温度制备势垒，同时恢复供应Ga前驱体气体。

主权项

一种利用铟镓氮(InGaN)半导体材料制备含有至少一个量子阱的有源区的方法，该方法包括：通过往反应室内注入In前驱体气体和Ga前驱体气体，于第一预设温度在叠层Ⅲ‑Ⅴ族氮化物结构上制备势阱；制备所述势阱之后，停止供应Ga前驱体气体，保持供应In前驱体气体流，反应室内温度升至第二预设温度，同时将In前驱体气体流速从第一流速调整为第二流速；在第二预设温度下对所述势阱进行退火和稳定处理，同时保持所述第二流速；在所述势阱上于所述第二预设温度制备势垒，同时恢复供应Ga前驱体气体。