| 发明名称 | GaN基光电子器件表面粗化的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种GaN基光电子器件表面粗化的制作方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上依次外延生长n型层、i型层及p型层；步骤3：利用纳米加工技术，在p型层上加工形成纳米柱阵列；步骤4：在该纳米柱阵列上外延生长p型表面粗化层。 | ||
| 申请公布号 | CN102064258A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN200910237781.5 | 申请日期 | 2009.11.17 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王辉;朱建军;张书明;杨辉 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种GaN基光电子器件表面粗化的制作方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上依次外延生长n型层、i型层及p型层；步骤3：利用纳米加工技术，在p型层上加工形成纳米柱阵列；步骤4：在该纳米柱阵列上外延生长p型表面粗化层。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||