| 发明名称 | 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极调制垂直结构GaN基发光二极管结构，包括：一导电衬底；一p型GaN层，该p型GaN层制作在导电衬底上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在p型GaN层上；一n型GaN层，该n型GaN层制作在多量子阱有源层上；一N电极，该N电极制作在n型GaN层上面的中间；一栅极绝缘层，该栅极绝缘层制作在n型GaN层上没有N电极的部分，并围绕N电极；一栅电极，制作在栅极绝缘层上。 | ||
| 申请公布号 | CN102064261A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN201010534772.5 | 申请日期 | 2010.11.03 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘志强;郭恩卿;伊晓燕;汪炼成;王国宏;李晋闽 |
| 分类号 | H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/36(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种栅极调制垂直结构GaN基发光二极管结构，包括：一导电衬底；一p型GaN层，该p型GaN层制作在导电衬底上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在p型GaN层上；一n型GaN层，该n型GaN层制作在多量子阱有源层上；一N电极，该N电极制作在n型GaN层上面的中间；一栅极绝缘层，该栅极绝缘层制作在n型GaN层上没有N电极的部分，并围绕N电极；一栅电极，制作在栅极绝缘层上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||