发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：硅衬底；形成于硅衬底上的缓冲层；依次形成于缓冲层上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，所述缓冲层的材料为SiC或InN。所述SiC或InN的晶格常数介于硅衬底和形成于缓冲层上的氮化镓材料的晶格常数之间并较为接近，可以解决硅衬底与氮化镓材料之间的晶格常数失配及应力问题，减小形成于衬底上的其它膜层的晶体缺陷，提高发光二极管的内量子效率；并且，所述SiC或InN材料具有良好的导电和导热性能，有利于提高发光二极管性能。

主权项

一种发光二极管，包括：硅衬底；形成于所述硅衬底上的缓冲层；依次形成于所述缓冲层上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其特征在于，所述缓冲层的材料为SiC或InN。