发明名称 |
高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 |
摘要 |
一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法,包括:步骤1:在衬底上制备氮化镓外延片;步骤2:在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜;步骤3:采用不同图形面积光刻版进行光刻,将第二层掩膜的两侧刻蚀掉,使第二层掩膜的面积小于第一层掩膜的面积;步骤4:通过双层掩膜的差异,采用ICP刻蚀的方法,将第一层掩膜和氮化镓外延片两侧刻蚀成梯形台面,该梯形台面的上部的宽度与第二层掩膜的宽度相同,该梯形台面的下部的宽度与衬底的宽度相同;步骤5:采用湿法腐蚀的方法,腐蚀掉第一层掩膜和第二层掩膜;步骤6:在氮化镓外延片上制作P电极;步骤7:采用激光剥离的方法,去掉衬底;步骤8:在P电极上制作转移衬底;步骤9:在氮化镓外延片上制作N电极,完成制备。 |
申请公布号 |
CN102064242A |
申请公布日期 |
2011.05.18 |
申请号 |
CN201010534588.0 |
申请日期 |
2010.11.03 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
黄亚军;樊中朝;刘志强;伊晓燕;季安;王军喜 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法,包括:步骤1:在衬底上制备氮化镓外延片;步骤2:在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜;步骤3:采用不同图形面积光刻版进行光刻,将第二层掩膜的两侧刻蚀掉,使第二层掩膜的面积小于第一层掩膜的面积;步骤4:通过双层掩膜的差异,采用ICP刻蚀的方法,将第一层掩膜和氮化镓外延片两侧刻蚀成梯形台面,该梯形台面的上部的宽度与第二层掩膜的宽度相同,该梯形台面的下部的宽度与衬底的宽度相同;步骤5:采用湿法腐蚀的方法,腐蚀掉第一层掩膜和第二层掩膜;步骤6:在氮化镓外延片上制作P电极;步骤7:采用激光剥离的方法,去掉衬底;步骤8:在P电极上制作转移衬底;步骤9:在氮化镓外延片上制作N电极,完成制备。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |