| 发明名称 | GaN微波器件T型栅的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN微波器件的T型栅的制作方法，其包括下述步骤：①在GaN基片上生长高温介质层，所述高温介质层的成分为Si3N4；②在上述高温介质层的上表面生长低温介质层，所述低温介质层的成分为SiOxNy；③在上述低温介质层上光刻出所需尺寸的栅凹槽光刻图形，再采用干法刻蚀在所述低温介质层和高温介质层上刻蚀出栅凹槽，并去除剩余的光刻胶；④在低温介质层上光刻出与所述栅凹槽对准的栅帽光刻图形；⑤在上述栅帽图形内制作GaN基体上的肖特基势垒栅。采用本发明栅长更容易控制，提高了GaN微波器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102064104A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN201010579121.8 | 申请日期 | 2010.12.09 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 王勇;李亮;秘瑕;彭志农;周瑞;蔡树军 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 米文智 |
| 主权项 | 一种GaN微波器件T型栅的制作方法，其特征在于包括下述步骤：①在GaN基片（1）上生长高温介质层（2），所述高温介质层（2）的成分为Si3N4；②在所述高温介质层（2）的上表面生长低温介质层（3），所述低温介质层（3）的成分为SiOxNy，x＞0，y＞0；③在上述低温介质层（3）上采用单层光刻胶光刻出所需尺寸的栅凹槽的光刻图形（4），再采用干法刻蚀在所述低温介质层（3）和高温介质层（2）上刻蚀出栅凹槽（5），并去除剩余的光刻胶；④在低温介质层（3）上采用多层光刻胶光刻出与所述栅凹槽（4）对准的栅帽光刻图形（6）；⑤在上述栅帽光刻图形（6）内制作GaN基体（1）上的肖特基势垒栅（8）。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||