| 发明名称 | 包括递变区域的半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 一个或多个递变组份的区域被包括在III-P发光器件中以减小与器件中的界面关联的Vf。根据本发明的实施例，半导体结构包括布置在n型区域和p型区域之间的III-P发光层。递变区域布置在p型区域和GaP窗口层之间。铝组份在递变区域中是递变的。递变区域可具有至少150nm的厚度。在一些实施例中，除了p型区域和GaP窗口层之间的递变区域，铝组份还在布置在蚀刻停止层和n型区域之间的递变区域中是递变的，或者替代p型区域和GaP窗口层之间的递变区域，铝组份在布置在蚀刻停止层和n型区域之间的递变区域中是递变的。 | ||
| 申请公布号 | CN102067342A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN200980122644.5 | 申请日期 | 2009.06.10 |
| 申请人 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | P. N.格里洛特;R. I.阿尔达茨;E. I.陈;S.萨利姆 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 龚海军;刘鹏 |
| 主权项 | 一种器件，包括：半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区域和p型区域之间的III‑P发光层；GaP窗口层；以及布置在p型区域和GaP窗口层之间的递变区域，其中铝组份在递变区域中是递变的，并且递变区域具有至少150nm的厚度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||