一种细线条的制备方法

摘要

本发明提供一种细线条的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明采用了3次Trimming掩膜工艺，有效地改善了线条形貌，大大减小了LER(线边缘粗糙度)；同时与侧墙工艺相结合，成功制备出纳米级细线条并能够精确控制到20纳米，从而在衬底材料上制备出优化LER纳米级的线条。

主权项

一种制备细线条的方法，其步骤包括：(1)在衬底上制备侧墙工艺的支撑层，通过以下工艺步骤实现：a)在衬底上淀积氮化硅薄膜；b)在氮化硅薄膜上涂光刻胶，光刻定义出将要作为支撑层的区域；c)干法Trimming光刻胶；d)干法刻蚀工艺将光刻胶上的图形转移到氮化硅薄膜上；e)去掉光刻胶，在衬底材料上制备出氮化硅支撑层；(2)在衬底上制备氧化硅侧墙，该步骤主要包括以下工艺流程：a)在衬底材料和作为支撑层的氮化硅薄膜上淀积氧化硅薄膜；b)干法刻蚀工艺刻蚀氧化硅；c)湿法腐蚀氮化硅支撑层；d)湿法Trimming氧化硅侧墙；(3)在衬底材料上实现LER得到明显改善的纳米线条，具体包括如下步骤：a)各向异性干法刻蚀衬底材料，得到衬底材料的纳米细线条；b)最后通过湿法腐蚀工艺去除顶层的氧化硅掩模。