| 发明名称 | SiGe异质结双极晶体管的发射极制作工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SiGe异质结双极晶体管的发射极制作工艺方法，包括如下步骤：(1)采用原位掺杂生长多晶，该原位掺杂的多晶以As和P作为掺杂元素一起掺杂；(2)多晶生长完成后，冲水擦片进行清洗；(3)表面淀积一层氧化膜；(4)注入As和P；(5)去除表面的氧化膜；(6)快速热退火充分激活掺杂元素，将充分激活的多晶作为发射极。本发明在传统的SiGe异质结双极晶体管的E-B结(发射极-基极)基础上，通过优化发射极工艺，进一步提高发射效率，改善放大系数。 | ||
| 申请公布号 | CN102064100A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN200910201791.3 | 申请日期 | 2009.11.12 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 周正良;陈雄斌 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种SiGe异质结双极晶体管的发射极制作工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)采用原位掺杂生长多晶，该原位掺杂的多晶以As和P作为掺杂元素一起掺杂；(2)多晶生长完成后，冲水擦片进行清洗；(3)表面淀积一层氧化膜；(4)注入As和P；(5)去除表面的氧化膜；(6)快速热退火充分激活掺杂元素，将充分激活的多晶作为发射极。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||