一种半导体晶圆的超厚度化学减薄方法

摘要

本发明公开了一种半导体晶圆的超厚度化学减薄方法，其包括如下工艺步骤：制作晶圆正面保护材料；采用不锈钢圆盘作为支撑材料，将其置于加热台上，并将混熔的石蜡和松香均匀涂抹于不锈钢圆盘上；将晶圆置于加热台上，将混熔的石蜡和松香均匀涂抹于晶圆上；将涂有混熔石蜡和松香的晶圆正面与不锈钢圆盘粘合在一起，在晶圆的边缘放置蚀刻陪片，然后将其移至冷却台上冷却；将贴着晶圆的不锈钢圆盘放入混合酸中进行多次腐蚀，直到腐蚀厚度达到要求。本发明的半导体晶圆的超厚度化学减薄方法具有工艺简单，减薄精度高等诸多优点。

主权项

一种半导体晶圆的超厚度化学减薄方法，其特征在于：包括如下工艺步骤：(1)，制作晶圆正面保护材料：将石蜡和松香以重量比为1∶1～4∶1的比例混合并加热均匀混熔；(2)，采用不锈钢圆盘作为支撑材料，将其置于加热台上，并将混熔的石蜡和松香均匀涂抹于不锈钢圆盘上；(3)，将晶圆置于加热台上，将混熔的石蜡和松香均匀涂抹于晶圆上；(4)，将涂有混熔石蜡和松香的晶圆正面与不锈钢圆盘粘合在一起，在晶圆的边缘放置蚀刻陪片，然后将其移至冷却台上冷却；(5)，将贴着晶圆的不锈钢圆盘放入混合酸中进行多次腐蚀，直到腐蚀厚度达到要求。