| 发明名称 | 高质量氮化镓系发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层上面的一侧刻蚀有一台面；一n型插入层，该n型插入层制作在n型接触层远离台面一侧的内部，其上还是n型接触层；一活性发光层，该活性发光层制作在远离台面的n型接触层的上面，并覆盖所述n型接触层的部分表面；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层上；一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；一负电极，该负电极制作在n型接触层上的台面上；一正电极，该正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。 | ||
| 申请公布号 | CN102064254A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN201010541038.1 | 申请日期 | 2010.11.10 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 马平;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层上面的一侧刻蚀有一台面；一n型插入层，该n型插入层制作在n型接触层远离台面一侧的内部，其上还是n型接触层；一活性发光层，该活性发光层制作在远离台面的n型接触层的上面，并覆盖所述n型接触层的部分表面；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层上；一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；一负电极，该负电极制作在n型接触层上的台面上；一正电极，该正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||