没有金属二硫化物阻挡材料的高效率光伏电池和制造方法

摘要

一种用于形成薄膜光伏装置的方法，包括，提供包括表面区域的透明基板，并形成覆盖表面区域的第一电极层。另外，该方法包括，通过至少溅射包括铟铜材料的靶以形成包括在约1.35∶1至约1.60∶1范围内的Cu∶In原子比的铜铟材料。该方法进一步包括，使铜铟材料在包含含硫物质的环境中经受热处理工艺。此外，该方法包括，至少由铜铟材料的热处理工艺形成铜铟二硫化物材料，并将铜铟二硫化物材料与电极之间的界面区域保持为基本上没有具有与铜铟二硫化物材料不同的半导体特性的金属二硫化物层。此外，该方法包括形成覆盖铜铟二硫化物材料的窗口层。

主权项

一种用于形成薄膜光伏装置的方法，所述方法包括：提供包括表面区域的透明基板；形成覆盖所述表面区域的第一电极层；形成覆盖所述第一电极层的阻挡层以形成界面区域；形成覆盖所述阻挡层的铜层；形成覆盖所述铜层的铟层以形成多层结构；至少使所述多层结构在包含含硫物质的环境中经受热处理工艺；至少由所述多层结构的处理工艺形成铜铟二硫化物材料，所述铜铟二硫化物材料包括在约1.35∶1至约1.60∶1范围内的铜与铟原子比；保持所述界面区域基本上没有具有与所述铜铟二硫化物材料不同的半导体特性的金属二硫化物层；形成覆盖所述铜铟二硫化物材料的窗口层。