发明名称 反射型光调制装置
摘要 本发明涉及反射型光调制装置。反射型液晶装置(反射型光调制装置)(1)具备:包含透过光(L)的导电性材料的透明导电膜(22);沿着透明导电膜(22)二维排列的金属制的多个像素电极(16);配置于多个像素电极(16)和透明导电膜(22)之间并对应于由各像素电极(16)以及透明导电膜(22)形成的电场而将光(L)进行调制的液晶层(20);以及形成于多个像素电极(16)上的电介质多层膜(18)。电介质多层膜(18)包含与像素电极(16)接触的第1层和折射率高于第1层且与第1层接触的第2层。由此,实现了具备能够抑制向光调制层的电场施加效率的降低并能够实现高反射率的电介质多层膜的反射型光调制装置。
申请公布号 CN102067019A 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN200880129931.4 申请日期 2008.06.19
申请人 浜松光子学株式会社 发明人 大林宁
分类号 G02F1/1335(2006.01)I 主分类号 G02F1/1335(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种反射型光调制装置,其特征在于,其为将从前方入射的光反射并在二维排列的多个像素的每一个中将所述光进行调制从而向前方输出光像的反射型光调制装置,具备:导电性光透过层,包含透过所述光的导电性材料;金属制的多个像素电极,沿着所述导电性光透过层二维排列;光调制层,配置于所述多个像素电极和所述导电性光透过层之间,对应于由各像素电极以及导电性光透过层形成的电场而将所述光进行调制;以及电介质多层膜,形成于所述多个像素电极上,所述电介质多层膜包含:与所述像素电极接触的第1层;以及折射率高于所述第1层且与所述第1层接触的第2层。
地址 日本静冈县