发明名称 一种直接合成酞菁钴晶体的新方法
摘要 本发明公开了直接合成酞菁钴晶体的新方法,属于有机合成技术领域,解决现有酞菁类化合物晶体生长周期长、成功率低和成本高的问题。包括以下步骤:将0.1mmol的二水乙酸合锌,0.4mmol的吲哚和10ml的喹啉放入带有聚四氟乙烯内衬的钢弹中,把钢弹拧紧,加热至270℃,反应9小时后,冷却至室温,用甲醇和去离子水过滤冲洗,即得紫色针状的酞菁钴晶体,分子式为C32H16CoN8。依据本发明方法可直接合成得到酞菁类化合物单晶,满足酞菁类化合物分子结构的表征、参数测量及制备各种光电器件的要求,此方法大大缩短了单晶生长时间,用9时就可以生长出9.1单晶,同时成功率100%,设备简单,成本低。
申请公布号 CN102061525A 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN201110025027.2 申请日期 2011.01.24
申请人 运城学院 发明人 夏道成
分类号 C30B29/54(2006.01)I 主分类号 C30B29/54(2006.01)I
代理机构 山西太原科卫专利事务所 14100 代理人 赵襄元
主权项 一种直接合成酞菁钴晶体的新方法,其特征是包括以下步骤:将0.1mmol的二水乙酸合锌,0.4mmol的吲哚和10ml的喹啉放入带有聚四氟乙烯内衬的钢弹中,把钢弹拧紧,加热至270℃,反应9小时后,冷却至室温,用甲醇和去离子水过滤冲洗,即得紫色针状的酞菁钴晶体,分子式为C32H16CoN8。
地址 044000 山西省运城市河东东街333号