发明名称 | 一种直接合成酞菁钴晶体的新方法 | ||
摘要 | 本发明公开了直接合成酞菁钴晶体的新方法,属于有机合成技术领域,解决现有酞菁类化合物晶体生长周期长、成功率低和成本高的问题。包括以下步骤:将0.1mmol的二水乙酸合锌,0.4mmol的吲哚和10ml的喹啉放入带有聚四氟乙烯内衬的钢弹中,把钢弹拧紧,加热至270℃,反应9小时后,冷却至室温,用甲醇和去离子水过滤冲洗,即得紫色针状的酞菁钴晶体,分子式为C32H16CoN8。依据本发明方法可直接合成得到酞菁类化合物单晶,满足酞菁类化合物分子结构的表征、参数测量及制备各种光电器件的要求,此方法大大缩短了单晶生长时间,用9时就可以生长出9.1单晶,同时成功率100%,设备简单,成本低。 | ||
申请公布号 | CN102061525A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
申请号 | CN201110025027.2 | 申请日期 | 2011.01.24 |
申请人 | 运城学院 | 发明人 | 夏道成 |
分类号 | C30B29/54(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/54(2006.01)I |
代理机构 | 山西太原科卫专利事务所 14100 | 代理人 | 赵襄元 |
主权项 | 一种直接合成酞菁钴晶体的新方法,其特征是包括以下步骤:将0.1mmol的二水乙酸合锌,0.4mmol的吲哚和10ml的喹啉放入带有聚四氟乙烯内衬的钢弹中,把钢弹拧紧,加热至270℃,反应9小时后,冷却至室温,用甲醇和去离子水过滤冲洗,即得紫色针状的酞菁钴晶体,分子式为C32H16CoN8。 | ||
地址 | 044000 山西省运城市河东东街333号 |