发明名称 三端口射频器件射频参数测试方法
摘要 本发明公开了一种三端口射频器件射频参数测试方法,先设计三端口射频器件版图结构,将其中任意一个射频端口接地,然后采用二端口射频测试设备,将所述特定三端口射频器件版图结构另外两个端口作为射频测试的两个端口进行二端口测试,得到二端口射频S参数,基于上述二端口测试所得到射频S参数,推导得出三端口射频晶体管射频S参数。本发明的三端口射频器件射频参数测试方法成本低且简单方便。
申请公布号 CN102063515A 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN200910201829.7 申请日期 2009.11.18
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 周天舒
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 王江富
主权项 一种三端口射频器件射频参数测试方法,三端口射频器件具有射频端口1、射频端口2、射频端口3三个端口,其特征在于,包括以下步骤:一.先设计三端口射频器件版图结构,将其中任意一个射频端口接地,接地的任意一个端口标示为射频端口3;二.采用二端口射频测试设备,将所述三端口射频器件版图结构另外两个端口射频端口1、射频端口2作为射频测试的两个端口进行二端口测试,得到二端口射频S参数,即S11_2P、S12_2P、S21_2P和S22_2P,Sij_2P是二端口从端口i到端口j的传输系数(i=1,2;j=1,2);三.基于上述二端口测试所得到的四个射频S参数,推导得出三端口射频晶体管射频S参数:S11_3P、S12_3P、S13_3P、S21_3P、S22_3P、S23_3P、S31_3P、S32_3P和S33_3P,Sij_3P是三端口从端口i到端口j的传输系数(i=1,2,3;j=1,2,3),其中:S33_3P=(S11_2P+S12_2P+S21_2P+S22_2P)/(4‑S11_2P‑S12_2P‑S21_2P‑S22_2P);S32_3P=((1+S33_3P)/2)*(1‑S12_2P‑S22_2P);S23_3P=((1+S33_3P)/2)*(1‑S21_2P‑S22_2P);S22_3P=S22_2P+(S23_3P*S32_3P)/(1+S33_3P);S21_3P=1‑S22_3P‑S23_3P;S12_3P=1‑S22_3P‑S32_3P;S31_3P=1‑S33_3P‑S32_3P;S13_3P=1‑S23_3P‑S33_3P;S11_3P=1‑S21_3P‑S31_3P。
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