一种用于晶体硅太阳电池的双层钝化方法

摘要

本发明公开了一种用于晶体硅太阳电池的双层钝化方法，该方法包括以下步骤：（1）选取硅片进行清洗，以及抛光或制绒；（2）将步骤（1）所得硅片采用ALD或者PECVD方法生长Al2O3，折射率1.5-1.7，厚度10-80nm；（3）将步骤（2）所得硅片采用PECVD或者PVD方法生长SiNx，折射率1.9-2.2，厚度30-150nm；（4）将步骤（3）所得样品在温度200-600℃下，在N2或者氢气氩气混合物气氛中退火1-30分钟，得到双层钝化介质膜。本发明钝化方法可以将硅片表面复合速度降低到10cm/s以下，且可以很好的应用于晶体硅太阳电池的表面钝化，得到高的转化效率。

主权项

一种用于晶体硅太阳电池的双层钝化方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：（1）选取硅片进行清洗，以及抛光或制绒；（2） 将步骤（1）所得硅片采用ALD或者PECVD方法生长Al2O3，折射率1.5‑1.7，厚度10‑80 nm；（3） 将步骤（2）所得硅片采用PECVD或者PVD方法生长SiNx，折射率1.9‑2.2，厚度30‑150nm；（4）将步骤（3）所得样品在温度200‑600℃下，在N2或者氢气氩气混合物气氛中退火1‑30分钟，得到双层钝化介质膜。