太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺

摘要

本发明提供了一种太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺，是将硅片载于反应舟中置于平板式微波增强等离子体化学气相沉积设备内，向平板式微波增强等离子体化学气相沉积设备通入硅烷和氨气，通过微波激发等离子体在硅片表面反应生成氮化硅减反射膜；其特点是，在硅烷和氨气通入30min～45min后，停止通入硅烷和氨气，改为通入与硅烷和氨气气体体积总量相同的三氟化氮气体。本发明的太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺由于NF3气体在等离子体环境下生成的F-离子会和氮化硅反应生产粉末状SiF4，通过泵抽走，从而达到了清洗出气口的效果。同时，残余的F-离子对硅片表面有钝化效果。

主权项

一种太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺，是将硅片载于反应舟中置于平板式微波增强等离子体化学气相沉积设备内，向平板式微波增强等离子体化学气相沉积设备通入硅烷和氨气，通过微波激发等离子体在硅片表面反应生成氮化硅减反射膜；其特征在于：在硅烷和氨气通入30min～45min后，停止通入硅烷和氨气，改为通入与硅烷和氨气气体体积总量相同的三氟化氮气体。