发明名称 | 光电转换装置和光电转换装置的制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供使开路电压增加并且改善n层与背面侧透明电极层或n层与中间接触层的接触性而提高形状因子的光电转换装置及其制造方法。一种在基板(1)上具备层叠p层(41)、i层(42)和n层而成的光电转换层(3)的光电转换装置(100),在该光电转换装置(100)中,所述n层包括含氮n层(43)和在该含氮n层(43)的与所述基板(1)相反一侧的面上形成的界面处理层(44),所述含氮n层(43)以1%以上且20%以下的原子浓度含有氮原子,并且结晶化率为0以上且小于3,所述界面处理层(44)为结晶化率1以上且6以下。 | ||
申请公布号 | CN102067325A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
申请号 | CN200980123940.7 | 申请日期 | 2009.07.08 |
申请人 | 三菱重工业株式会社 | 发明人 | 鹤我薰典;山口贤刚;吴屋真之;坂井智嗣 |
分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 高培培;车文 |
主权项 | 一种光电转换装置,在基板上具备层叠p层、i层和n层而成的光电转换层,其特征在于,所述n层包括含氮n层和在该含氮n层的与所述基板相反侧的面上形成的界面处理层,所述含氮n层以1%以上且20%以下的原子浓度含有氮原子,并且结晶化率为0以上且小于3,所述界面处理层为结晶化率1以上且6以下。 | ||
地址 | 日本东京都 |