| 发明名称 | 高K栅介质层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高K栅介质层的制备方法，该方法包括如下步骤：在半导体衬底上形成初始高K栅介质层；将部分厚度的初始高K栅介质层转变为反应层，所述反应层覆盖剩余的初始高K栅介质层；在所述反应层上覆盖阻挡层，形成叠层结构；对所述叠层结构进行高温退火；通过湿法刻蚀工艺同时去除所述反应层和阻挡层，剩余的初始高K栅介质层即为高K栅介质层。本发明提出的高K栅介质层的制备方法，能够达到对栅介质层高度的调节，并且通过湿法刻蚀工艺同时去除反应层和阻挡层，简化了工艺步骤，使工艺过程效率更高。 | ||
| 申请公布号 | CN102064103A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN201010571503.6 | 申请日期 | 2010.12.02 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 赵宇航;周军 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种高K栅介质层的制备方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成初始高K栅介质层；将部分厚度的初始高K栅介质层转变为反应层，所述反应层覆盖剩余的初始高K栅介质层；在所述反应层上覆盖阻挡层，形成叠层结构；对所述叠层结构进行高温退火；通过湿法刻蚀工艺同时去除所述反应层和阻挡层，剩余的初始高K栅介质层即为高K栅介质层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||