| 发明名称 | 地址控制电路以及半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 提出一种用以降低写入操作模式时的偏差的地址控制电路。该地址控制电路包含一读取列地址控制电路和一写入列地址控制电路。该读取列地址控制电路被配置为在一读取操作模式的第一突发周期期间，用以自一地址产生一读取列地址。该写入列地址控制电路被配置为在一写入操作模式的第二突发周期期间，用以自该地址产生一写入列地址。 | ||
| 申请公布号 | CN102063934A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN201010222330.7 | 申请日期 | 2010.07.05 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李京夏;李周炫 |
| 分类号 | G11C11/4063(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 钱大勇 |
| 主权项 | 一种地址控制电路，包含：一读取列地址控制电路，其被配置为在一读取操作模式的第一突发周期期间，从一地址产生一读取列地址；和一写入列地址控制电路，其被配置为在一写入操作模式的第二突发周期期间，从该地址产生一写入列地址。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||