| 发明名称 | 沉积设备和沉积方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了沉积设备和沉积方法，所述沉积设备包括：用于放置处理对象的第一电极；用于和第一电极产生等离子体的第二电极，第二电极和第一电极相对；和用于冷却处理对象的冷却部件，其中，在所述处理对象和所述冷却部件之间，与处理对象的中心部分和冷却部件之间的热阻相比，中心部分周围的周围部分和冷却部件之间的热阻较小。 | ||
| 申请公布号 | CN101469417B | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN200810188628.3 | 申请日期 | 2008.12.25 |
| 申请人 | 日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 西村一仁;笹冈秀纪 |
| 分类号 | C23C16/513(2006.01)I;C23C16/27(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/513(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 苗征;于辉 |
| 主权项 | 沉积设备，其包含：用于放置处理对象的第一电极；用于和所述第一电极产生等离子体的第二电极，第二电极和第一电极相对；和用于冷却处理对象的冷却部件，其中，所述冷却部件具有冷却头部件，其中面对第一电极的表面或者面对安装第一电极的安装台的表面的中心部分相应于处理对象的中心部分且形成为凹部，以使得冷却部件与处理对象的周围部分之间的热阻小于冷却部件与处理对象的中心部分之间的热阻，所述周围部分的有助于等离子体沉积的活性物质密度低于所述中心部分，所述中心部分具有高的有助于等离子体沉积的活性物质密度。 | ||
| 地址 | 日本高知县 | ||