CMOS图像传感器的微透镜及其制造方法

摘要

一种CMOS图像传感器的微透镜及其制造方法，所述方法包括下列步骤中的至少一个步骤：在半导体衬底上形成包含多个彩色滤光片的彩色滤光片阵列。在彩色滤光片阵列上面和/或上方形成平坦层，以补偿彩色滤光片之间的高度差异。在平坦层上面和/或上方形成氧化硅层。在氧化硅层上面和/或上方形成对应彩色滤光片的多个光致抗蚀剂图案，其中光致抗蚀剂图案彼此分离。利用至少一种工艺气体(例如C5F8、CH2F2、Ar和/或O2)形成包围多个光致抗蚀剂图案的多个CxFy基聚合物凸块。利用在多个聚合物凸块、多个光致抗蚀剂图案和氧化硅层之间具有基本相同蚀刻选择比的蚀刻处方蚀刻多个聚合物凸块、多个光致抗蚀剂图案和氧化硅层。

主权项

一种用于制造CMOS图像传感器的微透镜的方法，包括：在至少一个彩色滤光片上方形成近似透明层；在所述近似透明层上方形成至少一个近似半球形图案；以及蚀刻所述至少一个近似半球形图案和所述近似透明层，以在所述近似透明层处形成至少一个透明图案，其中所述至少一个透明图案与所述至少一个近似半球形图案具有基本相同的形状；其中，所述至少一个近似半球形图案是通过下列步骤而形成：在所述近似透明层上方形成至少一个光致抗蚀剂图案；以及在所述至少一个光致抗蚀剂图案周围形成包含CxFy基聚合物的至少一个聚合物凸块，以及其中，所述至少一个光致抗蚀剂图案、所述至少一个聚合物凸块和所述近似透明层在进行蚀刻工艺时具有基本相同的蚀刻敏感度。