半导体装置及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其具有对称平带电压、相同栅电极材料且高介电常数层的CMISFET。nMISFET具备：第一栅绝缘膜(16)，其配置于半导体基板(10)表面上；第一金属氧化物层(20)，其配置于第一栅绝缘膜(16)上，且具有由M1xM2yO(M1＝Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu，M2＝Hf、Zr、Ta，x/(x+y)＞0.12)表示的组成比；第二金属氧化物层(24)；第一导电层(28)，其配置于第二金属氧化物层(24)上，pMISFET具备：配置于半导体基板(10)表面上的第二栅绝缘膜(18)；第三金属氧化物层(22)，其配置于第二栅绝缘膜(18)上，且具有由M3zM4wO(M3＝Al，M4＝Hf、Zr、Ta，z/(z+w)＞0.14)表示的组成比；第四金属氧化物层(26)；第二导电层(30)，其配置于第四金属氧化物层(26)上。

主权项

一种半导体装置，其由n通道型第一MISFET和p通道型第二MISFET的互补型半导体装置构成，其特征在于，所述n通道型第一MISFET具备：第一栅绝缘膜，其配置于半导体基板表面上；第一金属氧化物层，其配置于所述第一栅绝缘膜上，且具有由M1xM2yO表示的组成比，且M1＝Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu，M2＝Hf、Zr、Ta，x/(x+y)＞0.12；第二金属氧化物层，其配置于所述第一金属氧化物层上，且由Zr、Hf、Ta、Y、La、Al中的一种或两种以上的元素、或者所述元素的硅酸盐或氮化硅酸盐构成；第一导电层，其配置于所述第二金属氧化物层上，所述p通道型第二MISFET具备：第二栅绝缘膜，其配置于所述半导体基板表面上；第三金属氧化物层，其配置于所述第二栅绝缘膜上，且具有由M3zM4wO表示的组成比，且M3＝Al，M4＝Hf、Zr、Ta，z/(z+w)＞0.14；第四金属氧化物层，其配置于所述第三金属氧化物层上，且由Zr、Hf、Ta、Y、La、Al中的一种或两种以上的元素、或者所述元素的硅酸盐或氮化硅酸盐构成；第二导电层，其配置于所述第四金属氧化物层上。