| 发明名称 | 化合物半导体层叠体及其制造方法以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供化合物半导体层叠体及其制造方法以及半导体器件。该化合物半导体层叠体能够在Si基板上直接形成InSb膜，可供在工业上开发应用于霍尔元件、磁阻元件等磁性传感器、红外传感器等光器件、晶体管等电子器件。在Si基板(1)上直接形成作为不含有As的化合物半导体的活性层(2)。在该活性层(2)与Si基板(1)的单晶层的界面存在As。化合物半导体至少含有氮。化合物半导体为单晶薄膜。Si基板(1)为体单晶基板或最上层为Si的薄膜基板。 | ||
| 申请公布号 | CN101641790B | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN200880009299.X | 申请日期 | 2008.03.21 |
| 申请人 | 旭化成微电子株式会社 | 发明人 | 柴田佳彦;宫原真敏 |
| 分类号 | H01L29/26(2006.01)I;C30B23/08(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L43/06(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种化合物半导体层叠体，该化合物半导体层叠体是在Si基板上直接形成化合物半导体InxGayAlzSb，x、y、z：0～1的层而成，其特征在于，在上述化合物半导体层与上述Si基板的界面存在As。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||