肖特基二极管金属结构正反向腐蚀工艺

摘要

本发明公开了一种肖特基二极管金属结构正反向腐蚀工艺，该工艺金属腐蚀顺序设定为：腐蚀Ag金属→腐蚀Ti金属→腐蚀Ti-W金属→腐蚀Ti金属→腐蚀Ti-W金属→腐蚀Ti金属→腐蚀Ag金属，对应不同金属使用不同的腐蚀液进行腐蚀，具体腐蚀液配比如下：Ag：H3PO4(54％)∶HAC(30％)∶HNO3(98％)∶H2O＝50∶10∶1∶1，Ti：HF(40％)∶HNO3(98％)∶H2O＝1∶1∶10，Ti-W：H2O2(30％)∶NH4OH(30％)∶H2O＝1∶2∶10。按照腐蚀顺序不同金属腐蚀的时间如下：Ag：200秒，Ti：100秒，Ti-W：120秒，Ti：70秒，Ti-W：90秒，Ti：80秒，Ag：150秒。本工艺可以提高产品的可靠性，工艺操作简便，避免了肖特基二极管去胶后贴膜或金属表层在受到外力后，容易造成金属翘银或掉银，在后期的压焊封装过程中容易产生可靠性问题，即造成金属粘附差、拉力小，封装良率低等问题。

主权项

一种肖特基二极管金属结构正反向腐蚀工艺，其特征在于该工艺包括以下步骤：步骤一、对肖特基二极管金属电极层银进行湿法腐蚀处理，其处理过程如下：配置腐蚀溶液一：所述腐蚀溶液由水、质量百分比浓度为54％的H3PO4、质量百分比浓度为30％的HAc、和质量百分比浓度为98％的HNO3按体积比为1∶50∶10∶1的比例均匀混合而成；对肖特基二极管金属电极层银进行湿法腐蚀，时间为180～220秒；腐蚀时间到后对二极管金属电极层银进行清洗；步骤二、对肖特基二极管粘附金属层钛进行湿法腐蚀处理，其处理过程如下：配置腐蚀溶液二：所述腐蚀溶液由水、质量百分比浓度为40％的HF和质量百分比浓度为98％的HNO3按体积比为1∶10∶1的比例均匀混合而成；对肖特基二极管粘附层金属钛进行湿法腐蚀，时间为90～110秒；腐蚀时间到后对二极管粘附层金属钛进行清洗；步骤三、对肖特基二极管阻挡金属层钛钨合金进行湿法腐蚀处理，其处理过程如下：配置腐蚀溶液三：所述腐蚀溶液由水、质量百分比浓度为30％的H2O2和质量百分比浓度为30％的NH4OH按体积比为10∶1∶2的比例均匀混合而成；对肖特基二极管阻挡金属层钛钨合金进行湿法腐蚀，时间为110～130秒；腐蚀时间到后对二极管阻挡金属层钛钨合金进行清洗；步骤四、对肖特基二极管底层金属层钛进行湿法腐蚀处理，其处理过程如下：用腐蚀溶液二对肖特基二极管底层金属层钛进行湿法腐蚀，时间为60～80秒；腐蚀时间到后对二极管底层金属层钛进行清洗；步骤五、对肖特基二极管阻挡金属层钛钨合金进行湿法腐蚀处理，其处理过程如下：用腐蚀溶液三对肖特基二极管阻挡金属层钛钨合金进行湿法腐蚀，时间为80～100秒；腐蚀时间到后对二极管阻挡金属层钛钨合金进行清洗；步骤六、对肖特基二极管粘附金属层钛进行湿法腐蚀处理，其处理过程如下：用腐蚀溶液二对肖特基二极管粘附金属层钛进行湿法腐蚀，时间为70～90秒；腐蚀时间到后对二极管粘附金属层钛进行清洗；步骤七、对肖特基二极管金属电极层银进行湿法腐蚀处理，其处理过程如下：用腐蚀溶液一对肖特基二极管金属电极层银进行湿法腐蚀，时间为135～165秒；腐蚀时间到后对二极管金属电极层银进行清洗。