SiGe BiCMOS工艺中的SiGe PNP双极晶体管

摘要

本发明公开了一种SiGe BiCMOS工艺中的SiGe PNP双极晶体管，其有源区是利用浅槽场氧化层隔离，包括集电区、基区和发射区。集电区由位于浅槽底部的P型埋层构成，通过在场氧化层上制作深阱接触引出所述集电区；基区通过在有源区进行N型离子注入形成，基区的周侧为浅槽场氧化层，基区宽度和浅槽的深度相当，基区底部和集电区相连接；在集电区对侧的浅槽底部形成一N型埋层，基区和该N型埋层相连并通过在所述N型埋层上的场氧化层上制作深阱接触引出所述基区；发射区由形成于所述基区上方的一P型SiGe外延层构成。本发明能缩小SiGe PNP晶体管的面积和提高SiGe PNP晶体管的电流放大系数。

主权项

一种SiGe BiCMOS工艺中的SiGe PNP双极晶体管，其有源区是利用浅槽场氧化层隔离，其特征在于，包括：一集电区，由位于浅槽底部的P型埋层构成，通过在场氧化层上制作深阱接触引出所述集电区；一基区，通过在有源区进行N型离子注入形成，所述基区的周侧为浅槽场氧化层，所述基区底部和所述集电区相连接，在所述集电区对侧的浅槽底部形成一N型埋层，所述基区和所述N型埋层相连并通过在所述N型埋层上的场氧化层上制作深阱接触引出所述基区；一发射区，由形成于所述基区上方的一P型SiGe外延层构成。