发明名称 子阵级自适应单脉冲的两级干扰抑制方法
摘要 子阵级自适应单脉冲的两级干扰抑制方法,涉及一种子阵级自适应单脉冲的干扰抑制方法。它解决现有的子阵级自适应单脉冲的干扰抑制方法的单脉冲性能较差、远算代价较高的问题。它包括两级干扰抑制:第一级干扰抑制为具有主瓣保形的旁瓣干扰抑制,其方法为:将具有方向图控制性能的子阵级ADBF与主瓣保形相结合,在保持主瓣形状的同时对旁瓣干扰进行抑制;第二级干扰抑制为主瓣干扰抑制,其方法为:采用4通道单脉冲系统进行主瓣干扰抑制;所述4通道单脉冲系统的4通道的含义为4个接收通道分别形成4个波束,即:和波束、俯仰差波束、方位差波束和双差波束。本发明适用于子阵级自适应单脉冲的干扰抑制。
申请公布号 CN102064892A 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN201010608994.7 申请日期 2010.12.28
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 胡航;阎晓莉;徐颖;肖勇;邱朝阳;吴群;张皓
分类号 H04B15/00(2006.01)I 主分类号 H04B15/00(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 张宏威
主权项 子阵级自适应单脉冲的两级干扰抑制方法,其特征是:它包括两级干扰抑制:第一级干扰抑制为具有主瓣保形的旁瓣干扰抑制,其方法为:通过将具有方向图控制性能的子阵级ADBF与主瓣保形相结合,在保持主瓣形状的同时,对旁瓣干扰进行抑制;第二级干扰抑制为主瓣干扰抑制,其方法为:采用4通道单脉冲系统进行主瓣干扰抑制;所述4通道单脉冲系统的4通道的含义为:4个接收通道中每个通道形成1个波束,共4个波束,即:和波束、俯仰差波束、方位差波束和双差波束。
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