| 发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：缓冲层；依次位于所述缓冲层上的外延层、有源层以及帽层；其中，所述缓冲层在远离外延层的表面上具有多个凹陷，自有源层发出的光经所述凹陷出射时，其入射角总是小于全反射临界角，从而不会发生全反射，确保大部分的光可从缓冲层表面透射出去，从而提高了发光二极管的外量子效率，提高了发光二极管的出光效率；并且，可避免发光二极管内部温度的升高，提高了发光二极管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102064253A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN201010559682.1 | 申请日期 | 2010.11.24 |
| 申请人 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发明人 | 肖德元;张汝京;程蒙召;许继仁 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种发光二极管，包括：缓冲层；依次位于所述缓冲层上的外延层、有源层以及帽层；其中，所述缓冲层在远离所述外延层的表面上具有多个凹陷。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区牛顿路200号5号楼101室 | ||